185nm紫外线灯240Z22AL

FX-51S/61SFX-801M2003FX-53S/63S2004Yokohama Plant Yokosuka Branch (now Yokosuka Plant) is built.2005FX-71S/81S2007Tochigi Nikon Precision Co., Ltd. is established.FX-803M/903N2008Sendai Nikon Precision Corporation is established.FX-75S/85S, FPD scanner for 7th and 8th generation plate sizes2009Mito Nikon Precision Corporation is merged with Tochigi Nikon Precision Co., Ltd.Sendai Nikon Precision Corporation is merged with Miyagi Nikon Precision Co., Ltd.FX-101S, FPD scanner for 10th generation super-large plate size2010Sales of FPD lithography systems in Chinese market start.2011FX-66SFX-76S/86S2012Yokosuka Plant is completed.FX-67S, FPD scanner achieving resolution of 2 µm2013Building 530 at Yokohama Plant is closed. Construction of Building 502 is completed.Nikon Precision Singapore Pte Ltd is merged with Nikon Singapore Pte. Ltd.FX-86SH2FX-86S22016FX-68S, FPD scanner achieving resolution of 1.5 µm2018FX-103SH/103S, FPD scanner for Generation 10.5 plate size2021FX-6AS, FPD scanner achieving the highest resolution of 1.2 µmi线步进式光刻机NSR-2005i10用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2001A-1。185nm紫外线灯240Z22AL

i线步进式光刻机NSR-SF140适用于半导体器件的制造。性能：Resolution分辨率≦280nm，Exposure light source曝光光源i-line(365nmwavelength)，Reductionratio缩小倍率1:4Maximumexposurefield，曝光范围26mm×33mm，Throughput产出≧200wafers/hour(300mmwafer,76shots),也可用于200mmwafer。采用悬吊投影镜头、减轻震动的“天钩构造”。通过高速运转的晶圆工作台，实现了每小时200片以上300mm晶圆的高产出。●超高产出采用了适于步进式光刻机的新平台“天钩构造”，同时晶圆工作台可高速运转，从而大幅度降低了振动，并实现了高产出。达到了每小时200片以上300mm晶圆的超高产出。高重合精度采用了“天钩构造”与配重物。并重新配置了空调管路，有利于工作室内的散热。使用ORC制作所生产的7.5KW超高压汞灯，对应型号：NLi-7500AL2。UV-M10-P紫外线灯晒版用照度计.我们的紫外线灯可提供专业的售前咨询和售后服务，确保客户满意度和产品可靠性。

小型・軽量で、受光部と本体が一体になったハンディタイプの計測器です。UV露光装置とUVコンベヤーのいずれにも対応した測定器です。露光装置、UVコンベヤー等の照度と光量の管理ができます。小型、軽量、薄型な、ハンディタイプです。機種は、用途に合わせてUV-351（UV-SD35相当）、UV-351-25（UV-SD25相当）、UV-351-42（UV-SD42相当）からお選びいただけます。光量測定、照度測定、ピーク照度測定など、各種の測定モードを選択できます。メタル・ボディで熱に強く、堅牢な構造です。

扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。d. 高精度双面：主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、多点光源曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式无油真空泵、防震工作台等组成。适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。i线步进式光刻机NSR-SF150,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2D！

实验室用小型UV紫外线照射设备

设备型号：QRU-2161-D

用途：光阻材料固化，粘着剂固化，封装胶固化，油墨胶固化，框胶材料固化。

照射装置构成：由灯箱和电源构成。

光源：汞灯 。

功率：300W，500W，800W.

特长：操作简单，小型化，轻量化，可手持，节能。

製品仕様：使用UV汞灯作为光源，光源主要波长为365nm，照度为30mW/cm2.

反射镜：黄金反射镜

冷却：风冷

照射面积：120×130mm

灯箱尺寸：180(W) × 250(D) × 212(H) mm

电源尺寸：300(W) × 370(D) × 395(H) mm 高效节能，超高压汞灯照亮你的工业世界。NIKON EXPOSURE紫外线灯ONL-12001

半导体紫外线灯，创新科技的精细投射。185nm紫外线灯240Z22AL

紫外线照度计检测原理：光电池是把光能直接转换成电能的光电元件。当光线射到硒光电池表面时，入射光透过金属薄膜4到达半导体硒层2和金属薄膜4的分界面上，在界面上产生光电效应。产生电位差的大小与光电池受光表面上的照度有一定的比例关系。光电流的大小取决于入射光的强弱和回路中的电阻。照度计有变档装置，因此可以测高照度，也可以测低照度。这时如果接上外电路，就会有电流通过，电流值从以勒克斯(Lx)为刻度的微安表上指示出来。185nm紫外线灯240Z22AL